三星电子有望6月底量产3nm芯片，三星已下定决心投入更多资金用于先进半导体技术的研发，多个消息渠道表明，即便三星抢先量产3nm工艺，也面临缺乏客户订单的窘况。三星电子有望6月底量产3nm芯片。
三星电子有望6月底量产3nm芯片1
据韩国媒体报道称，三星电子有望于下周宣布 3nm 制程工艺的量产事宜。如果消息属实的话，那么这将意味着三星成功抢在台积电之前量产了3nm工艺。
在晶圆代工市场，三星一直力图在先进制程的量产进度上超越台积电。去年10月，三星就宣布将抢先台积电在今年上半年量产3nm工艺。同时，为了在技术上也能够超越台积电，三星也率先将全新的GAA（Gate-all-around，环绕栅极）架构引入到了3nm工艺当中。相比之下，台积电的3nm工艺仍延续了此前的FinFET（鳍式场效应晶体管）架构，而量产时间则是在今年下半年。
根据三星此前透露的数据显示，采用GAA晶体管技术的 3nm 制程工艺，与目前FinFET架构的5nm相比，性能将提升 30%，能耗降可低 50%，逻辑面积效率提升超过45%。
不过，今年2月，三星的4nm、3nm先进制程工艺被曝“良率造假”。随后，根据韩国媒体Business Post今年4月的.爆料显示，当时今年年初三星4nm工艺良率仅35%，相比之下，台积电4nm制程良率则高达约70%，这也使得高通将改良版的骁龙8＋ 交给了台积电4nm代工。而3nm GAA 架构制程的良率今年年初时仅10%~20%。
如果三星真的将于下周宣布 3nm 制程制程工艺的量产的话，那么则意味着三星可能已经解决了良率问题。当然，也并不能完全排除这只是三星在纸面上的抢先宣布。
另外，根据三星的计划，继3nm GAA工艺量产之后，还将在2023年推出第二代 3nm GAA制程工艺，并在 2025 年量产2nm GAA制程工艺。
三星电子有望6月底量产3nm芯片2
过去几个月里，三星的晶圆代工业务一直处在风暴的中心。今年初先是传出三星电子管理层决定针对半导体工艺的相关问题展开调查，接着又爆出了员工泄密事件，随后先进制程的良品率和效能问题，导致高通和英伟达将新品订单转向台积电（TSMC），近期的统计数据显示，由于订单流失，三星成为排名前十代工厂中唯一负增长企业。
最近三星的实际负责人李在镕前往欧洲，其中一项日程就是前往荷兰的ASML，商讨双方未来的合作，以获得更多的极紫外（EUV）光刻机。据韩联社报道，预计三星将会在下周宣布3nm工艺量产，在新一代制程工艺的生产时间上抢先于台积电。
三星将在3nm制程节点引入了全新的GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，与现有的FinFET相比，可实现30%的性能提升、50%的功耗降低、以及减少45%的面积。相比之下，台积电的N3制程节点仍将使用FinFET，不过会引入FINFLEX技术，量产时间将会在今年下半年，有传言称是8月份。
在月初的欧洲之行结束后，李在镕就表示：
“第一是技术，第二是技术，第三也是技术。”
虽然三星已下定决心投入更多资金用于先进半导体技术的研发，以求在未来数年内赶超台积电，不过前路依旧困难重重。多个消息渠道表明，即便三星抢先量产3nm工艺，也面临缺乏客户订单的窘况。Business Korea称，三星将会在2025年量产2nm工艺，在下一代半导体工艺上与台积电仍保持同步。
三星电子有望6月底量产3nm芯片3
据国外媒体报道，5nm制程工艺量产已有两年的台积电和三星电子，都在全力推进3nm工艺的量产，两家公司都计划在今年量产。
而韩国媒体根据最新的消息报道称，三星电子有望在下周宣布3nm制程工艺的量产事宜。
如果三星电子真如外媒报道的那样，在下周宣布3nm工艺量产，他们在这一制程工艺上，就将先于台积电实现量产。台积电的3nm工艺在去年开始风险试产，正按计划推进在今年下半年量产。
在竞争激烈的3nm制程工艺方面，三星电子和台积电的技术路线并不相同，三星电子率先采用全环绕栅极晶体管，台积电则是继续采用鳍式场效应晶体管（FinFET）架构。
外媒在报道中提到，三星电子此前曾表示，采用全环绕栅极晶体管技术的3nm制程工艺，同当前的鳍式场效应晶体管架构相比，性能将提升30%，能耗降低50%，逻辑面积效率提升超过45%。
三星电子的3nm制程工艺有望先于台积电量产，在5月初也曾出现过。当时就有外媒在报道中表示，三星在推进3nm工艺在二季度量产，如果能顺利实现，就将先于台积电量产。而二季度到下周四就将结束，如果三星电子要在二季度量产，就需要在下周四之前量产。
