傳臺積電3nm製程工藝將提前投產

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傳臺積電3nm製程工藝將提前投產，N3 計劃於 2023 年投產，N3E 節點原定於 2024 年投產，但現在看來它會提前準備就緒。傳臺積電3nm製程工藝將提前投產。

傳臺積電3nm製程工藝將提前投產1

據techpowerup報道稱，臺積電正在開發3nm的工藝製程，包括了N3、N3B和N3E多個節點。

據瞭解，臺積電原計劃在2022下半年量產N3節點，N3E量產計劃爲2023年下半年。

但由於作爲3nm簡化版的N3E節點，量產率較高，臺積電希望早日實現商業化，可能提前到2023年上半年。

N3E的工藝流程也已經提前準備好了，工藝流程在這個月底就會確定。

據悉，N3E在N3基礎上減少了EUV光罩層數，從25層減少到21層，邏輯密度低了8%，不過仍比5nm的N5製程節點要高出60%，並且具有更好的性能、功耗和產量。

相比之下，據說N3的邏輯密度比N5高 70%。

還有N3B，據說是針對某些客戶的 N3 的改進版本，不過我們目前對N3B節點知之甚少。

無論N3E還是N3B，都不是用於取代N3，只是讓客戶有更多的選擇，在不同產品上有更好的性能和功耗表現。

傳臺積電3nm製程工藝將提前投產2

臺積電正在開發多個 N3 節點，目前至少 N3、N3B 和 N3E 正在開發中。N3 計劃於 2023 年投產，N3E 節點原定於 2024 年投產，但現在看來它會提前準備就緒。N3E 節點原本是 N3 節點的增強版本，但現在它似乎更像是一個替代節點，基於更少的 EUV 層，據說從 25 層降至 21 層，這將使其更容易製造。

根據摩根士丹利的詳細信息， N3E 節點的密度比原始 N3 節點低 8% 左右，但仍比 N5 節點高 60% 左右。相比之下，據說 N3 節點的邏輯密度比 N5 節點高 70%。

該報告表明，N3E 節點可能會在本月底完成，這意味着從 23 年第 3 季度到 23 年第 2 季度，整個季度的生產可能最終會被拉動。

N3E 節點“具有改進的製造工藝窗口，具有更好的性能、功率和產量”，因此我們可能會看到 N3E 節點被幾乎所有正在尋求製造高性能硅的人用於未來產品。

N3E 節點的產量也高於 N3B 節點，據說 N3B 是針對某些客戶的 N3 的改進版本。目前對 N3B 節點知之甚少。

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臺積電（TSMC）目前正在N3製程節點上開發多個工藝，包括了N3、N3B和N3E。去年臺積電總裁魏哲家表示，N3製程節點仍使用FinFET晶體管的結構，推出的時候將成爲業界最先進的PPA和晶體管技術，同時也會是臺積電另一個大規模量產且持久的製程節點。

據TechPowerup報道，近期摩根士丹利的報告指，在N3基礎上擴展的N3E已提前準備好了，工藝流程可能會在這個月底確定。臺積電原計劃在2022年下半年量產N3製程節點，N3E作爲3nm工藝中的`簡化版本，量產時間爲2023年下半年。由於N3E測試生產的時候良品率較高，臺積電希望能更早地實現商業化，可能會提前到2023年第二季度。

據瞭解，N3E在N3基礎上減少了EUV光罩層數，從25層減少到21層，邏輯密度低了8%，但仍然比N5製程節點要高出60%。此外，N3E的良品率也高於N3B，後者傳言是針對某些客戶使用而開發的N3改進版本，不過目前缺乏相關信息。無論N3E還是N3B，都不是用於取代N3，只是讓客戶有更多的選擇，在不同產品上有更好的性能和功耗表現。