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三星3nm工廠準備動工,或將首發GAA工藝

來源:時尚達人圈    閱讀: 2.34W 次
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三星3nm工廠準備動工,或將首發GAA工藝,根據韓國媒體報道,三星今年準備在韓國平澤市開工建設3納米晶圓廠,目前預計可能會在6月份還7月份動工,三星3nm工廠準備動工,或將首發GAA工藝。

三星3nm工廠準備動工,或將首發GAA工藝1

三星的晶圓代工部門最近負面不斷,此前有消息稱部分員工涉嫌僞造和虛報5nm、4nm、3nm工藝製程的良品率,以致於高通這樣的VIP客戶都要出走,重新使用臺積電生產驍龍8處理器。

不過從技術上來說,三星現在依然是唯一能緊追臺積電的晶圓代工廠,雖然在7nm、5nm及4nm節點上落後了一些,但在接下來的3nm節點三星更激進,要全球首發GAA晶體管工藝,放棄FinFET晶體管技術,而臺積電的3nm工藝依然會基於FinFET工藝。

三星3nm工廠準備動工,或將首發GAA工藝

三星之前表示,GAA是一種新型的環繞柵極晶體管,通過使用納米片設備製造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場效應管),該技術可以顯著增強晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術。

根據三星的說法,與7nm製造工藝相比,3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了45%以上,功耗降低了50%,性能提高了約35%,紙面參數上來說卻是要優於臺積電3nm FinFET工藝。

三星3nm工廠準備動工,或將首發GAA工藝 第2張

當然,這些還是紙面上的,三星的3nm工藝挑戰也不少,光是量產就是個問題,之前三星宣傳2021年就量產,實際上並沒有,最快也是今年,而且首發的是3GAE低功耗工藝,高性能的3GAP工藝至少要2023年了。

據韓國媒體報道,三星已經準備在韓國平澤市的P3工廠開工建設3nm晶圓廠了,6、7月份動工,並及時導入設備。

按照這個進度,今年的3GAE工藝應該也只會是小規模試產,大規模量產也要到明年了,跟臺積電的3nm工藝差不多,兩家都因爲種種問題延期量產3nm工藝了。

三星3nm工廠準備動工,或將首發GAA工藝2

芯片的發展越來越迅速,先進製程芯片量產的速度也是越來越快,從28納米,就這麼幾年的時間,如今已經成功挺進到4納米。這意味着什麼?意味着芯片先進製程已經即將就要接觸到摩爾定律的極限了。

當然,如今全球企業在芯片先進製程上依舊還在不斷努力中,三星,這個國際性的全能企業,在3納米芯片方面也傳來了新進展,據說三星準備在3納米方面採用新工藝。那麼,這次三星是否真能實現3納米的量產嗎?畢竟三星叫嚷3納米也已經有很多年了,但是連影子都沒見到。

三星如今研發出這樣一個更加先進的3納米制程工藝,那麼究竟有沒有希望能挽回有點要跑掉的高通呢?

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三星3納米傳來新進展

根據韓國媒體報道,三星今年準備在韓國平澤市開工建設3納米晶圓廠,目前預計可能會在6月份還7月份動工,並且還準備一併將相應的設備落實到位。在3納米芯片的`製程工藝上,三星大有破釜沉舟的樣子。

我國的臺積電也確實有向3納米芯片進軍,但是,目前臺積電使用的可是比較傳統的FinFET工藝。而三星偏不,三星這次準備用什麼呢?準備使用新工藝,準備成爲第一個吃螃蟹的人。這個新工藝就是GAA晶體管工藝。

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這種新工藝主要就是利用新型的環繞柵極晶體管,通過相關納米片設備和相關技術進行相關的堆疊,形成多橋通道場效應管。

當然,三星會有這樣的舉動也並不奇怪,畢竟就按照理論上來說,使用這種全新的GAA晶體管工藝生產出來的芯片也確實會比傳統用FinFET工藝,在整體性能上會有很大的增強,具體來說。

三星3nm工廠準備動工,或將首發GAA工藝 第5張

使用GAA新工藝生產出來的芯片,功耗據說大約能降低50%,性能可以提高35%,至少還是從理論上來說,因爲目前還沒有人試過,三星用這種新工藝生產的芯片,確實會優於臺積電的傳統功能工藝。

但是,三星的3納米新工藝芯片要想實現超越臺積電傳統工藝的3納米芯片,那麼,首先就要一個大變數。那就是三星在3納米芯片方面已經喊了幾年了,但是目前也僅僅看見三星動動嘴皮子,這次三星傳出準備採用新工藝,準備建廠。

三星3nm工廠準備動工,或將首發GAA工藝 第6張

三星在3納米芯片量產方面再次傳來新消息,再次出現了新進展,準備建設一座使用新工藝,新技術的3納米芯片工廠,未來,三星的3納米芯片究竟能否成功落地,三星究竟能否成功兌現自己的承諾。

三星這個全新工藝製成的3納米芯片,究竟能否如願超越臺積電相對應的3納米芯片,雖然不看好,但還是拭目以待,看看三星這次會不會又是新一輪的嘴炮。

三星3nm工廠準備動工,或將首發GAA工藝3

這兩年的三星5nm,4nm工藝性能不行已經是事實了,高通自己也是繃不住準備將8Gen1轉向臺積電4nm工藝,不過三星下一代3nm工藝還是值得期待的,而且會全球首發GAA晶體管工藝取代FinFET工藝,會比臺積電3nm更先進一些。

三星3nm工廠準備動工,或將首發GAA工藝 第7張

根據三星官方介紹,3nm GAA技術相比7nm工藝功耗能降低約50%,性能提高35%,不過這也是紙上談兵,最終是騾子是馬還得拉出來溜溜,而性能更強的3GAP可能要到2023年才能看到。

在今年,臺積電4nm工藝相比三星4nm還是有着絕對優勢,但是根據臺積電官方介紹來看,臺積電3nm的提升幅度並不會太大,而且依然採用FinFET技術,根據目前消息,明年蘋果的A16芯片可能會因爲產能依然選擇臺積電N4P工藝。

三星3nm工廠準備動工,或將首發GAA工藝 第8張

所以在目前的時間節點,三星4nm工藝的8Gen1機型推薦指數還是不高,都等到現在了,可以期待一下天璣9000/8100/8000這些機型的表現,此外明年的芯片功耗可能會有一個明顯改善。

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