SK海力士稱238層NAND閃存將於明年上半年投入量產，韓國芯片製造商SK海力士宣佈，它已開發出238層NAND閃存芯片。SK海力士稱238層NAND閃存將於明年上半年投入量產。
7月26日，美國美光科技表示將開始出貨其最先進的NAND閃存芯片，也是首家正式宣佈將NAND芯片擴展到超過200層的企業；本週三，韓國的SK海力士也宣佈開發出一款超過200層的閃存芯片。
美光的閃存芯片由232層存儲單元組成，數據傳輸速度將比其上一代176層的芯片快50%，且封裝尺寸比前幾代產品還要小28%。該芯片將主要瞄準人工智能和機器學習等以數據爲中心的領域，滿足其低延遲和高吞吐量的需求。
韓國SK海力士公司今日也宣佈，開發出超200層的NAND閃存芯片。該款芯片由238層存儲單元組成，比美光的最新芯片還要多裝6層。
據SK海力士稱，238層芯片是其尺寸最小的NAND閃存芯片，數據傳輸速度和功率比上一代提高了50%，讀取數據消耗的能量也減少了21%。
SK海力士這款最新芯片將在2023年上半年開始量產；而美光則表示將於2022年底開始量產232層NAND。
層數越高越好
NAND閃存幾乎應用與所有主要的電子終端之中，智能手機、電腦、USB驅動器等都有它的存在。閃存受不受市場歡迎的兩個重要因素，一是成本，二就是存儲密度。
而自2013年三星設計出垂直堆疊單元技術後，芯片的層數比拼一直是各大NAND閃存芯片廠商競爭的重點。
與CPU和GPU仍在競爭增大晶體管密度、用更精細的技術大幅提高芯片性能不同，在NAND市場，目前，想要大幅提高存儲密度，增加層數就是關鍵。因此，NAND閃存從最初的24層一路上升，發展到現在的200多層。
不過也有專家表示，在閃存芯片領域，各個廠家都有各自的技術架構和演進路線圖，並不完全一致，各家都有各家的技術工藝特色。在低層級的時候，3D堆疊確實能夠顯著提升閃存的性能，但是隨着層數的增加，性能提升也會遭遇瓶頸，需要在技術、成本和性能之間尋找一個平衡。總體而言，層數的領先並不能代表閃存技術上的絕對領先，還是綜合成本和性能來看。
美光232層NAND使用了與三星第七代閃存相似的“雙堆棧”技術。將232層分爲兩部分，每部分116層，從一個深窄的孔開始堆疊。通過導體和絕緣體的交替層蝕刻，用材料填充孔，並加工形成比特存儲部分，從而製造出成品芯片。
而蝕刻和填充穿過所有堆疊層的孔，就成爲了NAND閃存層數增加的技術關卡。
200層的`野心
目前，大多數的閃存芯片仍在生產100+層數的芯片，但衆多生產企業對200層的生產工藝都是躍躍欲試。
早在2019年，SK海力士就做出過大膽假設，在2025年推出500層堆疊產品，並在2032年實現800層以上。
今年稍早，美國西部數據與合作伙伴日本鎧俠稱，將很快推出超過200層的BiCS+內存芯片，預定在2024年正式面世。
參與層數競爭的三星電子也被曝將在今年底推出200層以上的第八代NAND閃存，業界猜測可達224層，傳輸速度和生產效率將提高30%。
現在全球的閃存格局，三星電子雖是技術的奠基者並在過去一直領導市場發展，但在200層以上的競爭上，略落後於美光與SK海力士。這兩家公司入局雖晚，但技術演進勢頭很猛，在技術上可能保持領先優勢。
而未來，據歐洲知名半導體研究機構IMEC認爲，1000層的NAND閃存也不是很遠，或在10年內就會出現。層數之爭依舊是NAND閃存的主旋律，就看能否有人彎道超車了。
據國外媒體報道，週二，韓國芯片製造商SK海力士宣佈，它已開發出238層NAND閃存芯片。
該公司表示，這款芯片是最小的NAND閃存芯片，數據傳輸速度與上一代芯片相比提升50%，讀取數據消耗的能量降低21%，將用於PC存儲設備、智能手機和服務器，計劃在2023年上半年開始批量生產。
去年12月30日，SK海力士宣佈完成收購英特爾NAND閃存及SSD業務的第一階段。在第一階段的交易中，英特爾向SK海力士出售SSD業務（包括轉讓NAND SSD相關的知識產權及員工）和大連的NAND閃存製造工廠，SK海力士則向英特爾支付70億美元。
這筆收購交易的第二階段預計將在2025年3月及之後進行，屆時SK海力士將向英特爾支付餘下的20億美元。據悉，英特爾出售給SK海力士的相關資產交由後者新設立的子公司Solidigm管理。
由於全球經濟的不確定性正在抑制消費者對電子產品的購買力，SK海力士在7月下旬宣佈，將無限期推遲投資33億美元新建存儲芯片工廠的擴張計劃。
據悉，SK海力士決定推遲擴建的工廠是該公司此前決定在清州園區建設的M17存儲芯片工廠，該工廠原本計劃於2023年晚些時候開工建設，預計最早於2025年完工。
外媒報道稱，該公司之所以決定推遲擴建計劃，可能是由於成本上升以及市場對芯片的需求放緩等問題。
SK 海力士官宣全球首發 238 層 512Gb TLC 4D NAND 閃存，將於明年上半年投入量產。現在，SK 海力士官方發文對其最新技術進行了介紹。
據介紹，SK 海力士 238 層 NAND 閃存在達到業界最高堆棧層數的同時實現了全球最小的面積。
SK 海力士在 2018 年研發的 96 層 NAND 閃存就超越了傳統的 3D 方式，並導入了 4D 方式。爲成功研發 4D 架構的芯片，公司採用了電荷捕獲型技術 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri. Under Cell) 技術。相比 3D 方式，4D 架構具有單元面積更小，生產效率更高的優點。
官方稱，新產品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的硅晶片生產出更多的芯片，因此相比 176 層 NAND 閃存其生產效率也提高了 34%。
此外，238 層 NAND 閃存的數據傳輸速度爲 2.4Gbps，相比前一代產品提高了 50%，芯片讀取數據時的能源消耗也減少了 21%。
SK 海力士計劃先爲 cSSD 供應 238 層 NAND 閃存，隨後將其導入範圍逐漸延伸至智能手機和高容量的服務器 SSD 等。SK 海力士還將於明年發佈 1Tb 密度的全新 238 層 NAND 閃存產品。
