內存的常見故障原因與解決方法，我們知道內存是電腦組成很重要的一部分，如果內存出現了故障，那麼就會影響電腦正常運行。接下來分享內存的常見故障原因與解決方法！
內存的常見故障原因與解決方法1
內存損壞，導致開機內存報警：
這種故障應該是大家經常遇到，並且多數是頭天晚上還好好的，第二天早晨一開機，聽到的不是平時“嘀”的一聲，而是“嘀，嘀，嘀...”響個不停 ，顯示器也沒有圖像顯示。
這種故障多數時候是因爲電腦的使用環境不好，溼度過大，在長時間使用過程中，內存的金手指表面氧化，造成內存金手指與內存插槽的接觸電阻增大，阻礙電流通過；
因而內存自檢錯誤。表現爲一開機就“嘀嘀”的響個不停，也就是我們常說的“內存報警”。
這種問題的處理也很簡單，就是取下內存，使用橡皮將內存兩面的金手指仔細的擦洗乾淨，再插回內存插槽就可以了。
這裏要注意的是，在擦洗金手指時，儘量不要用手直接接觸金手指，因爲手上汗液會附着在金手指上，在使用一段時間後會再次造成金手指氧化，重複出現同樣的故障。
內存損壞導致系統經常報註冊表錯誤：
這類故障比較常見，表現爲能夠正常啓動系統，但是在進入桌面時，系統會提示註冊表讀取錯誤，需要重新啓動電腦修復該錯誤，但是再 次啓動電腦後，仍舊是同樣的故障。
對於此類問題，我們可以進入安全模式，在運行中敲入“MSCONFIG”命令，將“啓動”項中的 ScanRegistry前面的去除，然後再重新啓動電腦。如果故障排除，說明該問題真的是由註冊表錯誤引起的；
如果故障仍然存在，基本上就可以斷定該機器內存有問題，這時需要使用替換法，換上性能良好的內存條檢驗是否存在同樣的故障就可以了。
安裝系統時提示“解壓縮文件時出錯，無法正確解開某一文件：
這類故障常見於安裝系統過程中，會經常意外的退出安裝。實際上這也經常是因爲內存的質量不良或穩定性差造成的，多數問題在更換內存後故障既可以解決。
此類問題無論是直接從光盤安裝還是從硬盤安裝都會出現同樣的提示信息。雖然有點類似於我們在安裝WIN98、WIN2K及XP過程 遇到的無法正常讀取某一文件，請選擇“忽略，終止，放棄”；
但那類問題多數是因爲光盤的質量差或光驅的使用時間過久，讀盤性能下降造 成的，同時還會有光驅燈慢閃，並伴隨着間斷讀盤時的“嘩嘩”聲。
如果我的電腦出現這種故障後，可以直接更換內存，然後看是否仍舊出現同樣的故障。如故障消失，說明原來內存有問題 ；如果故障依舊，多數是因爲光盤質量差或光驅讀盤下降造成的，也可能是硬盤上的系統安裝文件損壞。
內存短路導致主機無法加電：
這種情況可能不少朋友都沒有遇到過，往往這種故障內存損壞得會比較嚴重，但是內存芯片表面，金手指、阻容並不一定有明顯的燒灼痕跡，有時和完好的內存一模一樣。
不過將內存插入主板後，主板無法加電。當把電源插入電源插頭後，按下電源開關，主機無任何反應，CPU風扇和電源風扇都不工作，電源指示燈也不亮，和沒有加電時一模一樣。
內存的常見故障原因與解決方法2
故障有什麼處理？
故障1：內存條與主板插槽接觸不良、內存控制器出現故障。
表現爲：打開主機電源後屏幕顯示Error：UnabletoControlA20Line出錯信息後死機；顯示器有黑屏現象，不自檢；主機有報警，注意主板的BIOS不同不同的報警方式。
解決方法：仔細檢查內存條是否與插槽保持良好接觸或更換內存條，仔細觀察主板是否有變形現象。
故障2：自檢通過。
在Dos狀態下運行應用程序因佔用的內存地址衝突，而導致內存分配錯誤，屏幕出現MemoryA11ocationError的提示。
解決方法：因 文件中沒有用、等內存管理文件設置內存或者設置不當，使得系統僅能使用640KB基本內存，運行的程序稍大便出現OutofMemory(內存不足)的提示，無法操作。
這些現象均屬軟故障，編寫好系統配置文件後重新啓動系統即可。
故障3：Windows系統中運行的應用程序非法訪問內存、內存中駐留了太多應用程序、活動窗口打開太多、應用程序相關配置文件不合理等原因均能導致屏幕出現許多有關內存出錯的信息。
解決方法：此類故障必須採用清除內存駐留程序、減少活動窗口、調整配置文件(INI)，重裝系統和應用程序等辦法來處理。
故障4：Windows系統中運行DOS狀態下的應用軟件(如DOS下運行的遊戲軟件等)時，因軟件之間分配、佔用內存衝突出現黑屏、花屏、死機現象。
解決辦法：退出Windows系統，進入DOS狀態，再運行應用程序。
故障5：程序有病毒，病毒程序駐留內存、CMOS參數中內存值的大小被病毒修改，將導致內存值與內存條實際內存大小不符、內存工作異常等現象。
解決辦法：採用殺毒軟件消除病毒；CMOS中參數被病毒修改，先將CMOS短接放電，重新啓動機器，進入CMOS後仔細檢查各項硬件參數，正確設置有關內存的參數值。
故障6：電腦升級進行內存擴充，選擇了與主板不兼容的內存條。
解決方法：首先升級主板的BIOS，看看是否能解決問題，如果仍無濟於事，就只好更換內存條了。
電腦刷新是什麼
通常主板上使用的內存條應該叫做動態 DRAM ，其中的數據是靠電容特性存儲的。由於電容會放電，要維持數據，就要不斷的給它充電。給動態 DRAM 定期充電的機制就叫做數據刷新時鐘電路，即內存刷新電路。
細品味起來感覺有些問題，“ DRAM ”中的“ D ”實際上就是動態的`含義，似乎語意上有所重複。
不過請大家原諒，因爲生活中類似的地方很多。比如俄羅斯的蘇伯湯，實際上蘇伯就是俄語的湯。姑且就叫做動態 DRAM 吧，比動態 RAM 親切。
一般情況下，內存刷新電路必須在數毫秒（ ms ）之內對 DRAM 刷新一次，否則數據就會丟失。很象是一個流沙漏斗，一旦不加沙就會完全漏光。
在標準的 PC 電路設計中，每隔 15 微秒（ us ）對 DRAM 充電一次，整個充電操作必須在 4ms 之內完成。
近年來，由於 CPU 的速度越來越快，使得 DRAM 越來越跟不上 CPU 的速度，使二者的匹配關係失去平衡。這使 CPU 大材小用，不得不停下來，插入幾個等待週期來配合慢速的內存刷新速度。
因此產生了 AT 時代主板上的交叉（ Interleave ）刷新內存，這種設計要求至少有兩個 BANK 。
當一個 BANK 與 CPU 交換數據時，另一個 BANK 藉機進行數據刷新。偷閒的刷新工作，使 CPU 總在工作。
也許您應該知道電腦主板上的內存條爲什麼要分爲 BANK 了，顯然只讓一個 BANK 插慢內存條勢必使該失效；
另外一種方法是DRAM Page Mode ，也即動態 DRAM 頁面模式。
其原理是：在 CPU 對 DRAM 進行讀寫的一個週期中，只能對一個地址進行存取。
可是如果把列地址固定，只連續改變內存的行地址，就可以得到一塊連續的內存（可以稱爲一頁），從而使 CPU 可以存取範圍更大（頁面）的數據，加快了數據存取過程。
從單一地址到多個地址，從線性到頁面的方法大大提高了 CPU 的效率，而且再也不依賴 BANK 的物理條件了。
單單靠改進存取設計方法是不夠的。使用新的內存材質，改進數據讀寫週期的觸發電路，更高級的調整CMOS中關於DRAM的刷新週期進行優化設計等都可以提高CPU的效率，可喜的是動態的DRAM速度正在提高。
