三星3nm或將搶先臺積電實現量產

來源：時尚達人圈閱讀: 1.04W 次

小中大

字號：

用手機掃描二維碼在手機上繼續觀看

手機查看

三星3nm或將搶先臺積電實現量產，在晶圓代工市場，三星一直力圖在先進製程的量產進度上超越臺積電。去年10月，三星就宣佈將搶先，三星3nm或將搶先臺積電實現量產。

三星3nm或將搶先臺積電實現量產1

據國外媒體報道，5nm製程工藝量產已有兩年的臺積電和三星電子，都在全力推進3nm工藝的量產，兩家公司都計劃在今年量產。

而韓國媒體根據最新的消息報道稱，三星電子有望在下週宣佈3nm製程工藝的量產事宜。

如果三星電子真如外媒報道的那樣，在下週宣佈3nm工藝量產，他們在這一製程工藝上，就將先於臺積電實現量產。臺積電的3nm工藝在去年開始風險試產，正按計劃推進在今年下半年量產。

在競爭激烈的3nm製程工藝方面，三星電子和臺積電的技術路線並不相同，三星電子率先採用全環繞柵極晶體管，臺積電則是繼續採用鰭式場效應晶體管（FinFET）架構。

外媒在報道中提到，三星電子此前曾表示，採用全環繞柵極晶體管技術的3nm製程工藝，同當前的鰭式場效應晶體管架構相比，性能將提升30%，能耗降低50%，邏輯面積效率提升超過45%。

三星電子的3nm製程工藝有望先於臺積電量產，在5月初也曾出現過。當時就有外媒在報道中表示，三星在推進3nm工藝在二季度量產，如果能順利實現，就將先於臺積電量產。而二季度到下週四就將結束，如果三星電子要在二季度量產，就需要在下週四之前量產。

三星3nm或將搶先臺積電實現量產2

據韓國媒體報道稱，三星電子有望於下週宣佈 3nm 製程工藝的量產事宜。如果消息屬實的話，那麼這將意味着三星成功搶在臺積電之前量產了3nm工藝。

在晶圓代工市場，三星一直力圖在先進製程的量產進度上超越臺積電。去年10月，三星就宣佈將搶先臺積電在今年上半年量產3nm工藝。同時，爲了在技術上也能夠超越臺積電，三星也率先將全新的GAA（Gate-all-around，環繞柵極）架構引入到了3nm工藝當中。相比之下，臺積電的3nm工藝仍延續了此前的FinFET（鰭式場效應晶體管）架構，而量產時間則是在今年下半年。

根據三星此前透露的數據顯示，採用GAA晶體管技術的 3nm 製程工藝，與目前FinFET架構的5nm相比，性能將提升 30%，能耗降可低 50%，邏輯面積效率提升超過45%。

不過，今年2月，三星的4nm、3nm先進製程工藝被曝“良率造假”。隨後，根據韓國媒體Business Post今年4月的爆料顯示，當時今年年初三星4nm工藝良率僅35%，相比之下，臺積電4nm製程良率則高達約70%，這也使得高通將改良版的驍龍8＋交給了臺積電4nm代工。而3nm GAA 架構製程的良率今年年初時僅10%~20%。

如果三星真的將於下週宣佈 3nm 製程製程工藝的量產的話，那麼則意味着三星可能已經解決了良率問題。當然，也並不能完全排除這只是三星在紙面上的搶先宣佈。

另外，根據三星的計劃，繼3nm GAA工藝量產之後，還將在2023年推出第二代 3nm GAA製程工藝，並在 2025 年量產2nm GAA製程工藝。

三星3nm或將搶先臺積電實現量產3

過去幾個月裏，三星的'晶圓代工業務一直處在風暴的中心。今年初先是傳出三星電子管理層決定針對半導體工藝的相關問題展開調查，接着又爆出了員工泄密事件，隨後先進製程的良品率和效能問題，導致高通和英偉達將新品訂單轉向臺積電（TSMC），近期的統計數據顯示，由於訂單流失，三星成爲排名前十代工廠中唯一負增長企業。

最近三星的實際負責人李在鎔前往歐洲，其中一項日程就是前往荷蘭的ASML，商討雙方未來的合作，以獲得更多的極紫外（EUV）光刻機。據韓聯社報道，預計三星將會在下週宣佈3nm工藝量產，在新一代製程工藝的生產時間上搶先於臺積電。